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众所周知，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，是由硅晶棒在经过研磨、抛光、及切片后，形成的硅晶圆片。然而，在实际导片过程中，难免会存在一些边缘损伤，因此，目前企业所使用的导片机中，取料装置将晶圆从取料台中取下后放置在边缘时校准器中，在对晶圆表面检测的同时，也需要进行边缘校准，校准完毕后再由取料装置将晶圆从寻边器中取下后送至取料台中并记录位置。
晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道的工序，在晶圆制造中属于后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称为晶圆划片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大规模提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已不再适合。于是部分工序引入了激光切割技术。
晶圆的集成电路制造，为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装，在硅晶圆正面制作完集成电路后，需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺，是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路，然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后，表面会形成一层损伤层，且翘曲度高，容易破片。为了解决这些问题，需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀，去除损伤层，释放晶圆应力，减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时，晶圆正面及背面均与腐蚀液接触，正面贴的膜耐腐蚀，从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台，晶圆的正面通常已被机台保护起来，不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触，可以撕膜后再进行腐蚀。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在半导体芯片的制作过程中,在晶圆表面形成多个芯片区域后,需要先在间隔处划出隔道而后再将一整块晶圆裂片成多个单的芯片。
现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。
硅片是制作晶体管和集成电路的原料。一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。
