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晶圆倒片机是用来调整集成电路产线上晶圆生产材料序列位置的一款设备,它的任务是将产线上的晶圆通过制程需要进行分批、合并、翻转后进行下一道程序,这就要求晶圆倒片机拥有的传送效率和洁净程度。
晶圆是半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆的原始材料是硅,而硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是由硅元素加以纯化(可达到99.999%),接着将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,之后经过照相制版,研磨,抛光,切片等一系列程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅晶圆的制造可被归纳为三个基本步骤,分别是硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。目前晶圆制造过程涉及的材料有硅片、掩膜版、电子气体、光刻胶配套试剂、CMP材料、工业化学品、光刻胶、靶材等等,其中硅片在各材料占比为31%,是晶圆的重要组成部分
众所周知,晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,是由硅晶棒在经过研磨、抛光、及切片后,形成的硅晶圆片。然而,在实际导片过程中,难免会存在一些边缘损伤,因此,目前企业所使用的导片机中,取料装置将晶圆从取料台中取下后放置在边缘时校准器中,在对晶圆表面检测的同时,也需要进行边缘校准,校准完毕后再由取料装置将晶圆从寻边器中取下后送至取料台中并记录位置。
校准区截面呈方形,晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边,晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间,且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置,结构紧凑,设备运行,同时,负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流,可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道的工序,在晶圆制造中属于后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片(晶粒),称为晶圆划片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大规模提高,晶圆趋向于轻薄化,传统的很多加工方式已不再适合。于是部分工序引入了激光切割技术。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是,选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、光伏”等的供应制造商,主要产品包括Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。我们一贯秉承诚实、守信的原则,为广大客户提供,放心的产品及服务。
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