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东莞出售PTFE花篮PTFE清洗花篮

更新时间:2024-11-24 05:51:55 编号:54304t1f81b811
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张先生

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全国

白色、无臭、无味、的粉状物,俗称“塑料王”。具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性和良好的耐力。耐高温,使用工作温度达250℃。耐低温,低温下具有良好的机械韧性,即使温度下降到-196℃,也可保持5%的伸长率。耐腐蚀,对大多数化学药品和溶剂表现出惰性,能耐强酸强碱、水和各种有机溶剂。耐候性好,有塑料中佳的老化寿命。高润滑,是固体材料中摩擦系数低者。不黏附,是固体材料中表面张力小者,不黏附任何物质。

优点
1.外观纯白色。

2.耐高低温性:可使用温度-200℃~+250℃。

3.耐腐蚀:耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂,且无溶出、吸附和析出现象。

4.防污染:金属元素空白值低。

5.绝缘性:不受环境及频率的影响,介质损耗小,击穿电压高。

6.耐大气老化,耐辐照和较低的渗透性。

7.自润滑性:具有塑料中小的摩擦系数。

8.表面不粘性:是一种表面能小的固体材料。

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来,由于集成电路内各元件及连线相当微细,因此制造过程中,如果遭到尘粒、金属的污染,很容易造成晶片内电路功能的损坏,形成短路或断路等,导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外,集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成,通常采用单晶片清洗法,其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3 )产生氧化硅,稀释的HF蚀刻氧化硅,同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍,采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果,清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用,降低化学品的消耗量,提高晶片成本效益。

由于橡胶、玻璃、金属合金等材料在耐腐蚀方面存在缺陷,难以满足条件苛刻的温度、压力和化学介质共存的环境,由此造成的损失相当惊人。而PTFE材料以其的耐腐蚀性能,业已成为石油、化工、纺织等行业的主要耐腐蚀材料。其具体应用包括:输送腐蚀性气体的输送管、排气管、蒸汽管,轧钢机、高压油管,飞机液压系统和冷压系统的高中低压管道,精馏塔、热交换器,釜、塔、槽的衬里,阀门等化工设备。

PTFE材料具有固体材料中小的表面张力,不粘附任何物质,同时还具有耐高低温优良的特性,从而使其在诸如制造不粘锅的防粘方面的应用非常广泛。其防粘工艺主要包括两种:把PTFE部件或薄片安装在基体上,以及把PTFE涂层或与玻璃复合的漆布经过热收缩而套在基材上。

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公司资料

苏州硕世微电子有限公司
  • 张日平
  • 江苏 苏州
  • 私营股份有限公司
  • 2013-02-01
  • 人民币81万
  • 5 - 10 人
  • 半导体设备
  • 晶圆理片器,晶圆转换器,晶圆挑片器,晶圆校准器
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