常州供应晶圆挑片器电话

来源：苏州硕世微电子有限公司 时间：2024-05-15 08:14:25 [举报]

元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的,仅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、隧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片,是由硅锭加工而成的,通过的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管,被广泛应用于集成电路的制造。

现有晶圆片生产过程中,需要从一道生产工序转移到下一道生产上,现有技术中依靠人力进行传送,传送过程的耗费人力,且人为传送力道不能掌握,容易造成破片。为此,我们提供了一种自动晶圆传片器以解决以上问题。

很长一段时间，锯切一直是被广泛使用的传统的切割方法，其大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片边缘剥落的可能性就会变大。因此，应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。

刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。清洗部位配备水汽二流体清洗装置，能对加工物进行清洗。半自动划片机LX3356机台可作业8时wafer，含自动光学补偿、聚焦及自特征点功能，配有高低倍两种镜头，可用于切割道宽度测量、基准线补偿调整等。可自动检测切割刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。
顶面碎片，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。
背面碎片发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不计。另一方面，当尺寸大于25um时，可以看作是潜在的受损。可是，50um的平均大小可以接受，示晶圆的厚度而定。
在切片或任何其它磨削过程中，在不超出可接受的切削质量参数时，新一代的切片系统可以自动监测施加在刀片上的负载，或扭矩。对于每一套工艺参数，都有一个切片质量下降和BSC出现的极限扭矩值。切削质量与刀片基板相互作用力的相互关系，和其变量的测量使得可以决定工艺偏差和损伤的形成。工艺参数可以实时调整，使得不超过招矩极限和获得大的进给速度。
切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和的工艺控制能力。
UV膜与蓝膜相比，它的粘性剥离度可变性使得其性很大，主要作用为:用于wafer减薄过程中对wafer进行固定;water划切过程中，用于保护芯片，防止其脱落或崩边，用于wafer的翻转和运输，防止已经划好的芯片发生脱落。规范化使用UV膜和蓝膜的各个参数，根据芯片所需要的加工工艺，选择合适的UV膜或者蓝膜，即可以节省成本，又可以加进芯片产业化发展。
内圆切割时晶片表层损害层大，给CMP产生挺大黔削抛光工作中；刃口宽。材料损害大。品片出率低；成木高。生产效率低；每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。

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