南京生产晶圆挑片器晶片挑选器

刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。清洗部位配备水汽二流体清洗装置，能对加工物进行清洗。半自动划片机LX3356机台可作业8时wafer，含自动光学补偿、聚焦及自特征点功能，配有高低倍两种镜头，可用于切割道宽度测量、基准线补偿调整等。可自动检测切割刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。

在切片或任何其它磨削过程中，在不超出可接受的切削质量参数时，新一代的切片系统可以自动监测施加在刀片上的负载，或扭矩。对于每一套工艺参数，都有一个切片质量下降和BSC出现的极限扭矩值。切削质量与刀片基板相互作用力的相互关系，和其变量的测量使得可以决定工艺偏差和损伤的形成。工艺参数可以实时调整，使得不超过招矩极限和获得大的进给速度。

以稳定的扭矩运转的系统要求进给率、心轴速度和冷却剂流量的稳定。冷却剂在刀片上施加阻力，它造成扭力。新一代的切片系统通过控制冷却剂流量来保持稳定的流速和阻力，从而保持冷却剂扭矩影响稳定。当切片机有稳定的冷却剂流量和所有其它参数都受控制时，维持一个稳定的扭矩。如果记录，从稳定扭矩的任何偏离都是由于不受控的因素。这些包括由于喷嘴堵塞的冷却剂流量变化、喷嘴调整的变化、刀片对刀片的变化、刀片情况和操作员错误。

通常来说，对于小芯片减薄划片时使用UV膜，对于大芯片减薄划片时使用蓝膜，因为，UV膜的粘性可以使用紫外线的照射时间和强度来控制，防止芯片在抓取的过程中漏抓或者抓崩。若芯片在减薄划切实之后，直接上倒封装标签生产线，那么好使用UV膜，因为倒封装生产线的芯片一般比较小，而且设备的顶针在蓝膜底部将芯片顶起。如果使用较大粘性剥离度的蓝膜，可能使得顶针在顶起芯片的过程中将芯片顶碎。
内圆切割时晶片表层损害层大，给CMP产生挺大黔削抛光工作中；刃口宽。材料损害大。品片出率低；成木高。生产效率低；每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率大，同时资产拥有的成本小。可是，挑战是增加的产量经常减少合格率，反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加，切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。进给速度也影响刀片寿命。在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。