晶圆是半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。晶圆的原始材料是硅,而硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是由硅元素加以纯化(可达到99.999%),接着将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,之后经过照相制版,研磨,抛光,切片等一系列程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅晶圆的制造可被归纳为三个基本步骤,分别是硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。目前晶圆制造过程涉及的材料有硅片、掩膜版、电子气体、光刻胶配套试剂、CMP材料、工业化学品、光刻胶、靶材等等,其中硅片在各材料占比为31%,是晶圆的重要组成部分
校准区截面呈方形,晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边,晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间,且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置,结构紧凑,设备运行,同时,负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流,可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到亚微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优势,可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。
硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测,在检测头装上以金线制成细如毛发之探针,与晶粒上的接点接触,测试其电气特性,不合格的晶粒会被标上记号,而后当晶片依晶粒为单位切割成立的晶粒时,标有记号的不合格晶粒会被淘汰,不再进行下一个制程,以免徒增制造成本。
因为制作工艺决定了它是圆形的。因为提纯过后的高纯度多晶硅是在一个子晶(seed)上旋转生长出来的。多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中,再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉,则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的 CZ 法(Czochralski),也叫单晶直拉法。